功能描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

RoHS：否

类别：分离式半导体产品 >> FET - 单

系列：-

标准包装：1,000

系列：MESH OVERLAY™

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)：200V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V

功率 - 最大：40W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商设备封装：TO-220FP

包装：管件

IRFBC40LPBF

IRFBC40PBF

IRFBC40S

IRFBC40SPBF

IRFBC40STRL

IRFBC40STRLPBF

IRFBC40STRR

IRFBE20

IRFBE20L

IRFBE20PBF